Modelo do Produto

CM1600HC-34N

Introdução

Módulo de Transistor Bipolar de Porta Isolada (IGBT) de Alta Potência

Marca e Fabricante

Mitsubishi Electric Semiconductor

Características

Desempenho térmico aprimorado

Capacidade de comutação de alta velocidade

Baixa perda de energia

Circuito de acionamento de porta embutido

Classificado para curto-circuito

Desempenho do Produto

Alta eficiência com condutividade elétrica otimizada

Operação estável em altas frequências

Características térmicas robustas para melhor gerenciamento de calor

Especificações Técnicas

Tensão Coletor-Emissor (Vce): 1700 V

Corrente Coletor (Ic): 1600 A

Temperatura Máxima de Junção: +150°C

Tensão Porta-Emissor (Vge): ±20 V

Dimensões, Forma e Embalagem

Pacote do módulo

Forma retangular

Embalagem padrão da indústria para transporte seguro

Qualidade e Confiabilidade

Testes rigorosos em condições extremas

Longa vida operacional

Atende consistentemente aos padrões de qualidade industrial

Vantagens do Produto

Alta capacidade de corrente

Densidade de potência aprimorada

Durabilidade e confiabilidade aumentadas em ambientes exigentes

Competitividade do Produto

Desempenho superior em aplicações de alta tensão

Compete com os melhores padrões da indústria para módulos IGBT

Compatibilidade

Compatível com drivers e sistemas IGBT padrão

Flexível para integração em várias montagens eletrônicas

Certificação e Conformidade com Normas

Atende aos padrões internacionais de semicondutores

Certificado para segurança e desempenho

Duração e Sustentabilidade

Projetado para confiabilidade e durabilidade a longo prazo

Materiais e processos de fabricação ecológicos

Áreas de Aplicação

Sistemas de geração e distribuição de energia

Acionamentos de motores e sistemas de controle

Gestão de energia em aplicações industriais

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